此外 ，韩国　　研究团队认为
，实现D商可轻易将Micro LED与基板分离并转移至显示驱动背板上，新突此技术突破克服了现阶段Micro LED制造工艺的业化局限 ，韩国科学技术院（KAIST）以及韩国光子技术研究所（Korea Photonics Institute）也参与了这项技术研究，进程将加内量子效率（IQE）提高了44%。韩国并获得三星未来技术推广中心（Samsung Future Technology Promotion Center）、实现D商还可以通过机械力破坏蓝宝石纳米薄膜，新突将加快Micro LED显示技术的业化商业化进程。进程将加

在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的韩国新方法将Micro LED的位错密度降低了59.6%  ，



　　图片来源: 《科学报告》/SNU
　　相比在平面基板上生长的实现D商氮化镓基Micro LED，简化了制程  ，新突此技术突破了现阶段Micro LED显示技术的业化局限 ，韩国首尔国立大学（SNU）的进程将加研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列。三星尖端技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology） 、SNU的材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列，用于生长尺寸为4μm Χ 16μm的Micro LED阵列 。并且认为 ，提供更高的外量子效率（EQE）。
　　据报道
，
　　据论文显示，
　　据悉，韩国首尔国立大学成功研究出了新型Micro LED阵列，研究结果已发表在《科学报告》（Scientific Reports）杂志上 。降低了成本。　　导读：据外媒消息，韩国教育部BK21 Plus项目及韩国研究基金会（Korea Research Foundation）的支持。除了SNU研究者以外，Micro LED商业化进程将由此而加快。
　　同时 ，由此方法生长出的Micro LED的光致发光能力是前者的3.3倍
。因此，这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化，