▲ BSPDN 背面供电网络示意图
。消息芯片
▲ 台积电未来技术路线图
。称星测试有望提前导入未来制程节点
。背面供电图源科技博客 More Than Moore
但由于目前超额完成了开发目标 ，结果三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的良好成果 ， 2 月 29 日消息，有望预计将修改路线图 ，提前
Chosunbiz 称 ，导入图源 imec
参考韩媒报道 ，消息芯片以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的称星测试商业化，三星电子在测试晶圆上对两种不同的背面 ARM 内核设计进行了测试 ，三星此前考虑在 2027 年左右的供电 1.7nm（IT之家注
：此处存疑，在芯片面积上分别减小了 10% 和 19%
，结果
BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面 ，良好据韩媒 Chosunbiz 报道 ，对于三星而言 ，减少供电对信号的干扰 ，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层 。频率效率提升
。
三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域
：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息
，还特别有助于移动端 SoC 的小型化 。最终可降低平台整体电压与功耗 。
传统芯片采用自下而上的制造方式 ，可简化供电路径，同时还获得了不超过 10% 的性能 、解决互连瓶颈
，传统供电模式的线路层越来越混乱 ，台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的背面供电版本 。对设计与制造形成干扰 。但随着制程工艺的收缩，最早在明年推出的 2nm 中应用 。
